Öğrenci:	İmran KANMAZ
Danışman:	Dr. Öğr. Üyesi Abdullah ÜZÜM
Anabilim Dalı:	Yenilenebilir Enerji Kaynakları/Teknolojileri
Enstitü:	Fen Bilimleri Enstitüsü
Üniversite:	Karadeniz Teknik Üniversitesi

Tez Adı:	KRİSTAL SİLİSYUM GÜNEŞ HÜCRELERİ UYGULAMALARI İÇİN HAFNİYUM DİOKSİT (HfO2) TABANLI YANSIMA ÖNLEYİCİ VE PASİVASYON ETKİLİ KATMANLARIN GELİŞTİRİLMESİ
Tezin Türü:	Doktora
Kabul Tarihi:	5/8/2021
Sayfa Sayısı:	114
Tez No:	Dt1449

Özet:

ince filmler oluşturularak yansıma önleyici ve pasivasyon etkileri araştırıldı. İlk olarak HfO2

numuneler 500ºC ile 1000ºC aralığında tavlandı. XRD sonuçlarına göre 500ºC nin

Yansıma ölçümlerinden, 700°C de tavlamadan sonra 71.36 nm kalınlığındaki HfO2 film ile

600 nm de 1.934 lik kırılma indisine sahip olduğu ve tavlama sıcaklığının 800°C ye

ve HfO2-SiO2 karışımı ince filmler elde etmek için SiO2 ince film optimizasyonu

araştırıldı. Hazırlanan HfO2-SiO2(1:1) ince filmlerine ait minimum ve ortalama yansıma

taşıyıcı yaşam süreleri, 600°C de tavlandıktan sonra 2 µs lik kaplanmamış silisyumun

sıcaklıklarda taşıyıcı yaşam süresinin önemli ölçüde bozulduğu (700°C ve 800°C için

Afors-Het yazılımıyla c-Si güneş hücrelerine yansıma önleyici (YÖ) katman olarak

(PCE) %11.68 olarak belirlenirken, yüksek molariteli (0.4M) HfO2 ile kaplanmış güneş

uygulandığı güneş hücresi için kısa devre akım yoğunluğunun (Jsc) 20.87 den 31.27

yaklaşık olarak %6 verim artışı sağlandı.